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ＺｎＯ　压敏電(diàn)阻的(de)非(fēi)線(xiàn)性(xìng)是(shì)一(yī)種(zhǒng)晶粒(lì)邊(biān)界現(xiàn)象(xiàng)，即在(zài)相 邻晶粒(lì)耗盡层(céng)中(zhōng)存在(zài)多數電(diàn)荷载(zài)流子（電(diàn)子）的(de)勢壘。認 为(wèi)肖特(tè)基勢壘像　ＺｎＯ　微结構中(zhōng)晶粒(lì)邊(biān)界勢壘。晶粒(lì)邊(biān)界 上(shàng)的(de)負表(biǎo)面(miàn)電(diàn)荷（電(diàn)子捕獲）是(shì)由晶界面(miàn)两(liǎng)側晶粒(lì)的(de)耗盡 层(céng)的(de)正(zhèng)電(diàn)荷来(lái)補償的(de)。热(rè)電(diàn)子發(fà)射和(hé)隧道(dào)效應(yìng)是(shì)主要(yào)的(de)傳 输機(jī)制。 近(jìn)發(fà)展(zhǎn)的(de)压敏電(diàn)阻勢壘的(de)晶粒(lì)邊(biān)界缺陷模型在(zài)改進(jìn) 穩電(diàn)压應(yìng)力下(xià)，压敏電(diàn)阻的(de)穩定(dìng)性(xìng)上(shàng)取(qǔ)得了(le)很大(dà)進(jìn)展(zhǎn)。

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晶粒(lì)邊(biān)界到(dào)晶粒(lì)的(de)電(diàn)位(wèi)陡降發(fà)生(shēng)在(zài)≈５０￣１００ｎｍ　的(de)距離內(nèi)，稱为(wèi)耗盡层(céng)。这(zhè)樣(yàng)， 在(zài)每个(gè)晶粒(lì)邊(biān)界處(chù)都存在(zài)晶粒(lì)邊(biān)界向(xiàng)两(liǎng)側延展(zhǎn)入(rù)相邻晶粒(lì) 的(de)耗盡层(céng)。晶粒(lì)間(jiān)存在(zài)耗盡层(céng)提(tí)高了(le)压敏電(diàn)阻的(de)作(zuò)用(yòng)。 晶粒(lì)邊(biān)界两(liǎng)側两(liǎng)个(gè)耗盡层(céng)的(de)存在(zài)，使得　 ＺｎＯ　 压敏電(diàn) 阻对(duì)极(jí)性(xìng)變(biàn)化(huà)不(bù)敏感(gǎn)。在(zài)这(zhè)一(yī)方(fāng)面(miàn)，压敏電(diàn)阻像一(yī)个(gè)背对(duì) 背的(de)二(èr)极(jí)管。進(jìn)一(yī)步说(shuō)，由于晶粒(lì)邊(biān)界附近(jìn)區(qū)域的(de)電(diàn)子被(bèi) 耗盡，當施加外(wài)電(diàn)压时(shí)，跨在(zài)晶粒(lì)邊(biān)界上(shàng)出(chū)現(xiàn)一(yī)電(diàn)压降。 这(zhè)被(bèi)稱作(zuò)勢壘電(diàn)勢，一(yī)般是(shì)≈２￣４Ｖ／（每晶粒(lì)邊(biān)界）。

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静(jìng)态電(diàn)容量(liàng)（PF）

静(jìng)态電(diàn)容量(liàng)指压敏電(diàn)阻器本(běn)身(shēn)固有(yǒu)的(de)電(diàn)容容量(liàng)。

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IEEE定(dìng)義的(de)压敏電(diàn)阻的(de)響應(yìng)时(shí)間(jiān)τ並(bìng)不(bù)是(shì)压敏電(diàn)阻材料本(běn)身(shēn)的(de)特(tè)性(xìng)，而(ér)是(shì)由測試波(bō)形、引線(xiàn)、印(yìn)制電(diàn)路(lù)版的(de)布(bù)線(xiàn)方(fāng)式、外(wài)部(bù)測試連(lián)接線(xiàn)，以及(jí)它(tā)们(men)所(suǒ)構成(chéng)的(de)磁环(huán)路(lù)等外(wài)部(bù)原因造成(chéng)的(de)，根(gēn)據(jù)这(zhè)一(yī)定(dìng)義，对(duì)8/20 μs标(biāo)準雷(léi)電(diàn)流波(bō)或(huò)TS>8 μs的(de)電(diàn)流波(bō)，压敏電(diàn)阻的(de)響應(yìng)时(shí)間(jiān)τ＝0。

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